產(chǎn)品名稱

Ga:ZnO晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：六方晶系

晶格常數(shù)： a= 3.252 ? ,  c = 5.313 ?

熔點：1975℃

硬度：4 Mohs

密度：~5.7 g/cm3

帶隙：3.37eV

介電常數(shù)：8.5

比熱容：0.125 cal/gm

導電性：N type

導熱系數(shù)：0.006 cal/cm/ oK

熱膨脹系數(shù)：2.90 x 10-6/oK

位錯密度：< 4 x 104 /cm2

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向： (0001)

常規(guī)尺寸：5x5x0.5mm、10x5x0.5mm、10x10x0.5mm

表面粗糙度：<5A

注：尺寸可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工生長單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室100級超凈袋真空包裝