PMN-PT晶體

發(fā)布時(shí)間: 2024-04-28 23:37:33    瀏覽次數(shù):1457

產(chǎn)品介紹:

PMN-PT晶體是一種新型的壓電材料,具有高壓電常數(shù)、大機(jī)電耦合系數(shù)、高介電常數(shù)、低損耗的特性,尤其其壓電性能比普通的壓電材料要提高10倍左右

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產(chǎn)品名稱(chēng)

PMN-PT晶體基片

技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu):贗立方晶系

晶格常數(shù):a=~4.024 ?

密度:8.1 g/cm3

熔點(diǎn):1280°C

硬度: 3.5mohs

熱膨脹系數(shù)10.4x10-6/K

耦合常數(shù):k33(longitudinal mode) >92%kt(thickness mode) 59-62%k33'(beam mode) 84-88%

壓電系數(shù)d33 >2000 pC/N

介電常數(shù)e(at 1kHz after poling) 4000 6000

介電損耗:tan d<0.9

里溫度 135-150°C

生長(zhǎng)方法:坩堝下降法

產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向:

晶向公差: ±0.5°

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm

拋光情況:?jiǎn)螔?、雙拋、細(xì)磨

拋光面粗糙度:Ra<15A (單晶內(nèi)部有疇)

注:尺寸及方向可按照客戶要求定做。

晶體缺陷

人工金屬單晶存在常見(jiàn)晶體缺陷等。

標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋封裝






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