ZNO晶體基片
發(fā)布時間： 2024-07-13 18:41:52 瀏覽次數(shù)：741
產(chǎn)品介紹：
ZnO晶體基片，化學式為ZnO，是一種直接帶隙的寬禁帶半導體材料。這種晶體具有優(yōu)秀的物理性質和多樣的功能，如發(fā)光、電光、閃爍等。特別的，ZnO晶體的導帶底和價帶頂都位于布里淵區(qū)中心 Γ 點處，室溫下的帶隙寬度（實驗值）為3.376eV。
在具體應用方面，ZnO單晶基片是優(yōu)良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的關鍵基片材料，特別適用于短波長發(fā)光器件，例如LEDs和LDs。此外，ZnO還因其在可見光區(qū)域的透明性、大的機電耦合系數(shù)以及氣體分子在其表面的吸附和解吸特性，有望用于高峰值能量的能量限制器。
產(chǎn)品名稱 | ZnO 晶體基片 |
技術參數(shù) | 晶體結構：六方晶系 |
晶格常數(shù)：a=3.325 ???c=5.213 ? | |
密度：5.605 g/cm3 | |
晶體純度：99.99% | |
介電常數(shù)：8.5 | |
熔點：1975℃ | |
莫氏硬度：4 | |
熱膨脹系數(shù)(10-6/K)：6.5// a ?3.7// c | |
熱容：0.125(J /g.k) | |
透過波長：0.4~0.6um | |
熱導率：30W/(m.k)??at300K | |
生長方式：水熱法 | |
產(chǎn)品規(guī)格 | 常規(guī)晶向：<0001>、<11-20>、<10-10> |
常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm、10x10x1.0mm?20x20x0.5mm、20x20x1.0mm | |
晶體粗糙度：<5A | |
注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 | |
晶體缺陷 | 人工生長單晶都可能存在晶體內部缺陷。 |
標準包裝 | 1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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